武整公司推出采用离子注入和分压环结构的双极功率模块

   武汉武整整流器有限公司近日推出采用离子注入和分压环结构的双极功率模块，解决高性价比应用的具体需求。这种新型模块进一步解决了国产功率在模块在电流/电压上升率低,正反向电压容易击穿等问题。武整为受成本和性能限制的工业驱动、可再生能源、软启动器、UPS系统、焊接和静态开关等不同应用提供优化的解决方案。

   该模块不仅封装尺寸较小(不超过50mm)，而且市场价格比相关进口模块低30%左右(取决于模块/应用)，具有明显的成本优势。对于标准驱动或UPS等不要求压力接触的高鲁棒性应用，该模块是理想的选择。而对于软启动器或静态开关等以高鲁棒性作为重要标准的应用，武整整流器将提供压力接触的 解决方案。例如，直接在恶劣的电网电压条件下运行的输入整流器应用对耐用性的要求会随着模块尺寸的增加而提高，因此需要采用高度稳定的压力接触技术。

技术特点：

   一.   选进口德国进口瓦克区熔单晶作为产品的基底材料，材料具有极低的晶格缺陷以及电阻率分布的超高一致性

   二.  芯片采用分压环平面结构，VDRM以及VRRM稳定性好，电压 可达2200V

   三.  芯片选用SIPOS（半绝缘掺氧多晶硅）作为终端钝化膜层，使用SIPOS的产品具有极低的高温漏电，产品高温稳定性

   四.  芯片采用AL、V、Ni、AG四层金属结构，形成高可靠欧姆接触

   五.  芯片主结构选用离子注入技术形成，具有极高的稳定性及一致性。

   六.  芯片主结构选用中心门极+放大环结构具有极高的电流上升率和电压上升率

   七.  芯片采用320um厚度，具有极低的正向压降

   八.  DBC高效散热绝缘基片

   九.  链式烧结炉+氢氮气保护烧结工艺

   新一代功率模块提供的封装底板宽度为20mm, 25mm, 34mm。每种封装均提供五种方便整流器设计(2种晶闸管/晶闸管TT、2种晶闸管/二极管TD和1种二极管/二极管DD)的模块。武整整流器提供的产品涵盖主要电流额定值的每种尺寸，所有型号均提供1600V阻断电压。在此类模块中，采用焊接技术的模块是针对成本优化的工业标准解决方案，而采用压力接触技术的模块则是为满足高电流应用和高可靠性的需求。

   相比仅使用DCB基底向散热器传热的模块，这种带绝缘铜底板的功率模块具有更低的瞬态热阻，从而在过载的情况下能够具有更高的可靠性。该功率模块经过优化的外壳和盖子结构在拧紧主端子时只需极小的扭力，而且模块具备 的焊接质量。此外，这种模块功耗 ，因而能够实现更高的系统效率。