氮化镓GaN薄膜单晶衬底基片_氮化镓晶片_众铂新材料

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   保定众铂商贸有限公司专业销售实验用新材料的及科工贸为一体的国际贸易公司，现提供氮化镓。

   GaN具有宽的直接带隙，强的原子键，高的热导率等性质和强的抗辐照能力，不仅是短波长光电子材料，也是高温半导体器件的换代材料，GaN体系可以用来制备蓝、绿光LED蓝紫、紫外光LD、紫外探测器以及高频大功率电子器件。

主要性能参数

导电类型：N-Type

电阻率：<0.5

厚度：0.23mm,0.28mm

有效面积：>90%

晶向：<111>、<100>、<110>±0.5º

尺寸：Ф2″，10*10.5mm

抛光：单面或双面

包装：100 级洁净袋，1000 级超净室

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