双向可控硅模块十大使用规则

      可控硅模块，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管模块。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一，接下来就由昆二晶可控硅模块小编为大家介绍双向可控硅模块 使用规则。
      1、为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL ，这条件必须满足，并按可能遇到的 温度考虑。  
      2、要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<ih， 并维持足够长的时间，使能回复至截止状态，在可能的高运行温度下必须满足上述条件。=""

      3、设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3 象限（WT2-，+）。  
      4、为减少杂波吸收，门极连线长度降至 ，返回线直接连至 MT1（或阴极），若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线，门极和 MT1 间加电阻 1kΩ或更小，高频旁路电容和门极间串接电阻；另一解决办法，选用H系列低灵敏度双向可控硅。

      5、若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲电路，若高dICOM/dt可能引起问题，加入一几 mH的电感和负载串联；另一种解决办法，采用Hi-Com双向可控硅。  
      6、假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：负载上串联电感量为几μH的不饱和电感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。  
      7、选用好的门极触发电路，避开 3 象限工况，可以大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。  
      8、若双向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出，负载上串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻；另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。  
      9、器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力，固定，然后焊接引线，不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
     10、为了长期可靠工作，应保证 Rth j-a足够低，维持 Tj不高于 Tjmax ，其值相应于可能的高环境温度。